集邦科技表示，由于今年第一季淡季不淡，DRAM季均价持续上涨，今年首季全球DRAM产业总营收持续成长6.9%，为92.77万美元，韩国三星以市占率 32.3%稳居龙头；台系厂力晶(5346)与南科(2408)营收一消一涨，力晶已超越南科跃居为DRAM产业营收第五名。  {8 O4 X- J/ C+ n& E
1 _1 s6 o" |* a# i( R, d
根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继去年第四季分别大涨40%与30%后，今年首季分别续涨16%与14%；DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，今年首季淡季不淡，合约季均价续涨5%，现货季均价持平，持续维持在高档。
: D! C/ k: g- G& g: u" [: ?" I" v% H; {$ Z/ M. q
由于计算机系统厂商于首季拉高DDR3的搭载比例由去年第四季的40%拉高至60%，造成首季DDR3供货吃紧。DDR2方面，现货市场需求仍大部份在 DDR2，而DRAM厂快速转进至DDR3，使买方努力拉高DDR2 库存，防备接下来市场缺货，使DDR2 1Gb现货价格直上3美元。0 z* _& K' B1 z. p% d. f
! m5 M  H0 l$ h& E2 o+ Y" s
集邦科技表示，虽然进入传统淡季，计算机系统厂商因担心下半年的缺货，对于DRAM需求仍维持与去年第四季相当的需求量，使DDR2与DDR3颗粒价格在第一季里价格续涨。
; C0 T) {$ y, s% ^
! z3 g4 T5 V" J根据集邦科技统计，今年首季DRAM厂商营收涨跌互见，幅度约在-15至37%之间。其中，三星(Samsung)、美光(Micron)、力晶(5346)(Powerchip)及茂德(5387)(ProMOS)，首季营收成长皆优于市场平均。0 h/ _+ m4 d- |: f0 Z, r/ Q1 m
2 {# F  F; A3 L5 y7 y6 z
在全球DRAM厂自有品牌内存营收排名方面，DRAM龙头厂商三星(Samsung)在制程持续转进46nm下，季位成长约15%、加上DRAM价格上涨，首季DRAM营收涨幅为9.1%，为30亿美元，由于营收成长率略高于市场平均，市占率微幅成长0.6%至32.3%。韩系厂商海力士 (Hynix)首季DRAM营收在季均价上涨3%以及季位成长6%下，营收成长6.8%，为19.98亿美元，位居DRAM产业营收第二名。
8 b. L: t5 ?2 Z: }5 X$ g
5 J, {) V5 W. k/ W6 M尔必达(Elpida)虽然首季季位成长率近15%，然而去年第四季受益于销售库存使营收大幅成长，在第四季营收基期高下，首季成长营收小幅衰退 3.7%，为16.18亿美元，位居DRAM产业营收第三名。美光(Micron)财报结算日期在3月初，其季营收是以12、1、2三个月结算。其 DRAM均价与上季(9、10、11月)相较，上涨7%、位销售量成长17%，在DRAM价量均成长下，季度DRAM营收较上季成长达24%，为 13.11亿美元，为DRAM产业营收第四名。
# Z9 l8 s" h9 ]4 z) ?# J
; k1 @$ h' x! c1 r7 Y1 L/ ~+ i' |) u台系厂商方面，力晶受益于DDR3/DDR2现货价上涨以及季位微幅成长3%，首季营收成长略高于市场平均为8.3%，营收达4.42亿美元。南科 (Nanya)首季在DRAM季均价下跌5%以及销货量下跌8%下，DRAM营收下滑14.4%，为4.25亿美元。在力晶与南科营收一消一涨下，首季营收排名力晶已超越南科跃居为DRAM产业营收第五名。华邦电(2344)(Winbond)首季DRAM营收为1.74亿美元，较上季微幅成长4.8%，市占率为1.9%。茂德(ProMOS)受益于首季位成长近60%，其季营收成长率高达37.4%，市占率较上季增加0.3%，为1.3%。
- g) ^0 f8 U6 X- Y+ d  X3 |  ?( x" J# v
在DRAM产业自有品牌各国市占率方面，今年首季韩系厂商季营收成长幅度略优于市场平均，市占率小幅增加0.8%，为54.6%；日系厂商季营收微幅下跌，市占率衰退1.9%，为17.7%。美系厂商营收成长远优于市场平均，市占率成长2%，市占率为14.3%。台系厂商本季市占率因南科营收下跌，衰退 0.9%为13.4%。